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一文读懂IGBT的选型方法

IGBT（绝缘栅双极晶体管）是总线电压几百至上千伏的应用的理想之选。作为少数载流子器件，IGBT在该电压范围内具备优于MOSFET的导通特性，同时拥有与MOSFET十分相的栅极结构，能实现轻松控制。

来源：技术文章人气：2200 口碑：0 星级：入网时间：2022-04-08
肖特基二极管与快恢复整流二极管的性能比较

开关电源由高频磁芯、高频电容、高反压大功率晶体管、功率整流二极管及控制电路等主要部件构成。其中，整流二极管为关键部件，因为其功耗最大，约占电源功耗的30%。

来源：技术文章人气：1503 口碑：0 星级：入网时间：2022-05-20
移动应用的计算机模块技术

标准化的计算机模块使得研发人员的生活变得更加轻松，但标准化常伴随传统限制。Qseven克服传统接口限制，特别适用于移动应用和家用的处理器。

来源：技术文章人气：1482 口碑：0 星级：入网时间：2015-02-09
为你揭开mos损坏之谜

mos管的损坏主要围绕雪崩损坏、器件发热损坏、内置二极管破坏、由寄生振荡导致的破坏、栅极电涌、静电破坏这五大方面。接下来就由小编针对mos管的损坏原因做以下简明介绍。

来源：技术文章人气：1428 口碑：0 星级：入网时间：2022-01-12
逆变器中场效应管发热是什么原因造成的？

逆变器的场效应管工作于开关状态，并且流过管子的电流很大，若管子选型不合适、驱动电压幅度不够大或电路的散热不好，均可导致场效应管发热。

来源：技术文章人气：1361 口碑：0 星级：入网时间：2022-01-14
浅谈功率半导体——IGBT

关于IGBT，小编之前已经写过很多篇文章了。今天主要来讲讲什么是功率半导体？IGBT产品又是如何分类的？与芯片又有哪些不同呢?

来源：技术文章人气：1283 口碑：0 星级：入网时间：2021-12-02
硅晶圆制造的三大步骤，你知道吗？

众所周知，硅晶圆是制造半导体器件和芯片的基本材料，而且在产业中扮演着举足轻重的地位，可以说硅是当今最重要、应用最广泛的半导体材料。

来源：技术文章人气：1277 口碑：0 星级：入网时间：2022-03-23
检测IGBT模块的办法

IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极G—发射极E间施加十几V的直流电压，只有在uA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。

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